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NAND512R3A2BZA6E相关型号
ST热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NAND512R3A2BZA6E

  • 制造商：STMicroelectronics
  • 批号：最新
  • 描述：IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，NAND512R3A2BZA6E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 包装托盘
  • 系列-
  • 零件状态停產
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术闪存 - NAND
  • 存储容量512Mb （64M x 8）
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率并联
  • 写周期时间 - 字，页60ns
  • 访问时间60ns
  • 电压 - 电源1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C（TA）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳63-VFBGA
  • 供应商器件封装63-VFBGA（8.5x15）

其它信息

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