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STGB4M65DF2相关型号
ST热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • STGB4M65DF2

  • 制造商:STMicroelectronics
  • 批号:最新
  • 描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

优势价格,STGB4M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 包装Digi-Reel® 得捷定制卷带
  • 系列M
  • 零件状态Digi-Key 停产
  • IGBT 类型沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)650V
  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)8A
  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm)16A
  • 不同Vge,Ic 时的Vce(on)2.1V @ 15V,4A
  • 功率 - 最大值68W
  • 开关能量40µJ(开),136µJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷15.2nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值12ns/86ns
  • 测试条件400V,4A,47 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr)133ns
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装D2PAK

其它信息

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