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STGB30H65FB相关型号
ST热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • STGB30H65FB

  • 制造商：STMicroelectronics
  • 批号：最新
  • 描述：IGBT
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，STGB30H65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 包装标准卷带
  • 系列HB
  • 零件状态有源
  • IGBT 类型沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）650V
  • 电流 - 集电极（Ic）（最大值）60A
  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm)120A
  • 不同Vge，Ic 时的Vce（on）2V @ 15V，30A
  • 功率 - 最大值260W
  • 开关能量151µJ（开），293µJ（关）
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷149nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值37ns/146ns
  • 测试条件400V，30A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间（trr）400V，30A，10 欧姆，15V
  • 工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装D2PAK

其它信息

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